產(chǎn)品[
數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：ZHLT-100C
]資料
產(chǎn)品名稱:
數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：ZHLT-100C
產(chǎn)品型號(hào):
ZHLT-100C
產(chǎn)品展商:
國(guó)產(chǎn)
產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹
數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：ZHLT-100C證明是一種成熟的測(cè)試方法，**適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，制樣簡(jiǎn)便。
數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：ZHLT-100C
的詳細(xì)介紹
| 產(chǎn)品名稱：數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：ZHLT-100C | | 產(chǎn)品型號(hào)：ZHLT-100C | | 生產(chǎn)廠商：北京中慧天誠(chéng)有限公司 | | 聯(lián)系方式：010-59488880 | | 產(chǎn)品單價(jià)： | | 所屬欄目：產(chǎn)品 |
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| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 |
| 按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀。 該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)數(shù)次十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn)，證明是一種成熟的測(cè)試方法，**適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，制樣簡(jiǎn)便。 ZHLT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下特點(diǎn)： 1、 可測(cè)量太陽(yáng)能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面*需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管硅單晶的少子壽命。 2、 可測(cè)量太陽(yáng)能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面*需拋光、鈍化。 3、 配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。 4、 配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源： a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。 b、短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能硅晶體。 5、 測(cè)量范圍寬廣 測(cè)試儀可直接測(cè)量： a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。 b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。 壽命可測(cè)范圍 0.25μS—10ms |